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NDD03N50Z
10
600
550
500
450
C oss
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
f = 1 MHz
400
1
T J = 150 ° C
350
300
C rss
250
200
150
T J = 125 ° C
100
50
0.1
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
0.01
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
12
Q T
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Variation
300
10
8
6
4
2
Q GD
V DS
Q GS
V GS
V DS = 250 V
I D = 2.6 A
T J = 25 ° C
250
200
150
100
50
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
11
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 9. Gate ? to ? Source Voltage and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
100
V DD = 250 V
I D = 2.6 A
V GS = 10 V
10.0
10
t d(off)
t r
t f
t d(on)
1.0
T J = 150 ° C
125 ° C
25 ° C
? 55 ° C
1
1
10
100
0.1
0.3
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 10. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 11. Diode Forward Voltage versus
Current
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